由于石英材料的局限性及其振荡原理，近年来人们不断探索用新技术替代它。
像MEMS技术一样，但其中心振荡频率不是很高（如16MHz），如果需要高频输出，则必须经过一级PLL，增加成本，相位噪声和功耗。
IDT在该领域进行了深入研究，使用获得专利的CMOS谐振子（CHO）来引入全硅频率控制器。
其核心是高频振荡模块，可根据不同的分频系数获得不同的输出频率。
以这种方式，既不需要石英也不需要石英，因为振荡源也不需要倍增PLL。
SFC工作状态需要电源而晶体则不需要。
然而，由于ASIC必须提供晶体启动电路，因此晶体也相应地增加了ASIC的功耗。
硅频率控制器的引脚分布为2.5 * 2 * 0.55mm。
硅频率控制器的精度为50PPM。
-20-70°C的频率特性为50 PPM。
硅频率控制器不使用石英，因此老化没有问题。
准确性只需要考虑两个方面。
请参阅下面表2中的示例。
有关晶体精度的值，请参考上面的计算。
最简单的设计硅频率控制器无需任何辅助组件即可工作。
晶体必须插入两个电容器才能正常工作，这不仅节省了成本，而且节省了宝贵的空间，这符合产品小型化的趋势。
超低电源电流在工作条件下，电源电流为1.9mA。
静态工作电流仅为1uA。
其他基于晶体和MEMS的产品功能强大4-10倍。
这对手持设备来说是一个福音。
因为对于相同的电池容量，低电流意味着更长的使用时间，这越来越受到产品制造商的重视。
快速启动时间标准启动时间为400uS。
晶体的启动时间有时达到10mS。
更快的启动时间使产品能够从上电或待机状态快速进入正常运行状态。
这也提高了产品的竞争力，并在市场中占据有利地位。
宽频输出范围无需PLL，硅频率控制器可输出4-50MHz。
对于通用频率，如10M，14.31818M，19.44M，20M，25M，33M，33.3333M，40M，48M，50M等，可直接订购。
对于非通用或特殊频率，工厂可以设置输出分频因子。
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更高的工作可靠性如今，时尚产品总是由人们携带，例如摔倒在地，受到硬物撞击等其他小事故是不可避免的。
这通常会导致晶体停止振动并使产品失效。
由于硅频率控制器不使用晶体，因此不受振动和挤压的影响。
这对于产品的长期稳定性非常重要。
这也是设备制造商越来越喜欢它的原因之一。
此外，硅频率控制器没有高阻抗输入引脚，这更有利于EMI测试。
模压外壳封装硅频率控制器封装采用成本较低的模塑外壳。
晶体必须用陶瓷密封。
因此硅频率控制器的成本可以更低。
塑料包装的资源非常丰富，不受制造商的交货周期和数量的限制。
硅频率控制器的尺寸通常为2.5 * 2 * 0.55mm。
并且将推出更小的尺寸。
众所周知，小型封装晶体会增加成本。
但这对于硅频率控制器来说非常容易实现，并且可能更便宜。
更快的交货时间如前所述，硅频率控制器的核心是稳定的高速振荡器模块。
工厂可以预先生产，然后根据客户需求进行配置，可以大大缩短产品交付周期。
SFC晶体源硅晶体管控制器是一种与ASIC相同的CMOS工艺，因此ASIC可以轻松集成硅晶体发生器的晶体源。
如果是石英，因为它是一个不同的过程，它会在工艺和可靠性方面带来很多问题。
