双极晶体管

双极结型晶体管双极晶体管是电流控制器件，其中电子和空穴同时参与传导。

与场效应晶体管相比，双极晶体管具有慢的开关速度，小的输入阻抗和大的功耗。

双极晶体管尺寸小，重量轻，功耗低，寿命长，可靠性高。

它们已广泛应用于广播，电视，通信，雷达，计算机，自动控制设备，电子仪器，家用电器等，交换机等。

晶体管：通过不同的掺杂方法在同一硅晶片上制造三个掺杂区，并形成两个PN结以形成晶体管。

晶体管分类：双极晶体管和FET双极晶体管分类：NPN型管和PNP型管输入特性曲线：描述了基极电流iB与发射结电压降uBE之间的关系称为输入伏安特性。

管压降UCE是常数，可表示为：硅管的导通电压约为0.7V，氙管的导通电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述当基极电流IB为常数时集电极电流iC与管压降uCE之间的关系。

它可以表示为：双极晶体管的输出特性可以分为三个区域★截止区域：发射极结和集电极结都是反向偏置的。

IE @ 0，IC @ 0，UCE @ EC，管失去其放大能力。

如果晶体管被视为开关，则该状态相当于断开状态。

★饱和区：发射极结和集电极结都是正向偏置的。

在饱和区IC中不受IB控制，管失去放大，UCE @ 0，IC = EC / RC，晶体管被视为开关，开关闭合。

★放大区：发射极结正偏置，集电极结反向偏置。

放大区域的特征是：◆IC由IB控制，几乎与UCE的大小无关。

因此，三极管是由电流IB控制的电流源。

◆特性曲线的平坦部分之间的间隔反映了控制集电极电流IC的基极电流IB的大小。

间隔越大，管电流放大系数b越大。

◆具有最低伏安特性的线路IB = 0，表示基极开路且IC很小。

此时的IC是穿透电流ICEO。

◆放大区域的电流 - 电压关系为：UCE = EC-ICRC，IC =βIB◆放大区域中的管道可以等效于可变直流电阻。

极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。

基于集电极的反向饱和电流ICBO：是集电极结的反向电流。

集电极 - 发射极反向饱和电流ICEO：它是直通电流。

ICEO与CBO的关系：特征频率：由于晶体管中存在PN结电容，晶体管的AC电流放大系数会随着工作频率的增加而减小。

当值下降到1时，信号频率称为特征频率。

双极晶体管极限参数★最大集电极耗散功率如图所示。

★最大集电极电流：当b减小到正常值的1/2到2/3时，集电极电流称为集电极的最大允许电流。

★极间反向击穿电压：当晶体管的一个电极开路时，其他两个电极之间允许的最高反向电压是极间反向击穿电压。

如果管超过该值，则会发生故障。

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当温度升高时，击穿电压下降。

BVcbo是发射极开路时的集电极 - 基极反向击穿电压，这是集电极结允许的最高反向电压。

它是基极打开时集电极和发射极之间的反向击穿电压，以及集电极结受到的反向电压。

BVebo是集电极开路时发射极和基极之间的反向击穿电压，这是发射极结允许的最高反向电压。

BVceo这是共发射极配置的击穿电压，即基极打开时集电极和发射极之间的击穿电压。

由于集电极结被反向偏置，并且当基极打开时发射极结正向偏置，因此BJT处于放大状态。

温度对平衡的影响：当集电极施加反向电压时，由少数平衡的漂移形成。

当温度升高时，热​​运动增强，更多的价电子有足够的能量来破坏共价键的键，从而使少数的浓度显着增加并增加。

温度每增加10度，就会增加一倍。

硅管比管子小得多，硅管受温度影响小于管子。

温度对输入特性的影响：随着温度升高，正向特性向左移动。

温度对输出特性的影响：随着温度的升高而增加。

光电晶体管：根据光强度控制集电极电流。

暗电流ICEO：照明期间的集电极电流称为暗电流ICEO，大约是光电二极管暗电流的两倍;每升高25℃，ICEO就会上升10倍左右。